STW11NK90Z Todos los transistores

 

STW11NK90Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW11NK90Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.98 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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STW11NK90Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  st
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STW11NK90Z

STW11NK90ZN-channel 900V - 0.82 - 9.2A - TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTW11NK90Z 900V

 7.1. Size:315K  st
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STW11NK90Z

STW11NK100ZSTW11NK100ZN-channel 1000V - 1.1 - 8.3A - TO-247Zener - Protected SuperMESH PowerMOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID Pw(@Tjmax)STW11NK100Z 1000 V

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 stw11nb80.pdf pdf_icon

STW11NK90Z

STW11NB80N-CHANNEL 800V - 0.65 - 11A - T0-247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW11NB80 800 V

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 stb11nm80 stf11nm80 stw11nm80 stp11nm80.pdf pdf_icon

STW11NK90Z

STB11NM80, STF11NM80STP11NM80, STW11NM80N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmesh Power MOSFETTO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247FeaturesRDS(on) Type VDSS RDS(on)*Qg IDmax313STB11NM802DPAK1STF11NM80TO-247800 V

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History: ME60N04 | BUK9535-100A | RTR040N03TL | TSJ10N10AT | BLF645 | LSB65R380HT | IXTH30N50L2

 

 
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