Справочник MOSFET. STW11NK90Z

 

STW11NK90Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW11NK90Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 19 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.98 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STW11NK90Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  st
 stw11nk90z.pdf pdf_icon

STW11NK90Z

STW11NK90ZN-channel 900V - 0.82 - 9.2A - TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTW11NK90Z 900V

 7.1. Size:315K  st
 stw11nk100z.pdf pdf_icon

STW11NK90Z

STW11NK100ZSTW11NK100ZN-channel 1000V - 1.1 - 8.3A - TO-247Zener - Protected SuperMESH PowerMOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID Pw(@Tjmax)STW11NK100Z 1000 V

 8.1. Size:191K  st
 stw11nb80.pdf pdf_icon

STW11NK90Z

STW11NB80N-CHANNEL 800V - 0.65 - 11A - T0-247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW11NB80 800 V

 8.2. Size:943K  st
 stb11nm80 stf11nm80 stw11nm80 stp11nm80.pdf pdf_icon

STW11NK90Z

STB11NM80, STF11NM80STP11NM80, STW11NM80N-channel 800 V, 0.35 , 11 A MDmesh Power MOSFETTO-220, TO-220FP, D2PAK, TO-247FeaturesRDS(on) Type VDSS RDS(on)*Qg IDmax313STB11NM802DPAK1STF11NM80TO-247800 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: TK3A60DA | APL602J | BSS214NW

 

 
Back to Top

 


 
.