STW20NM60FD Todos los transistores

 

STW20NM60FD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW20NM60FD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 214 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 500 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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STW20NM60FD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:344K  st
 stf20nm60d stp20nm60fd stw20nm60fd.pdf pdf_icon

STW20NM60FD

STF20NM60D - STP20NM60FDSTW20NM60FDN-channel 600V - 0.26 - 20A - TO-220 - TO-220FP - TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)General featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTF20NM60D 600V

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
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STW20NM60FD

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STW20NM60FDFEATURESLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedTight process control and high manufacturing yieldsMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)

 5.1. Size:444K  st
 stb20nm60 stp20nm60fp stp20nm60 stw20nm60.pdf pdf_icon

STW20NM60FD

STB20NM60-1 - STP20NM60FPSTB20NM60 - STP20NM60 - STW20NM60N-channel 600V - 0.25 - 20A - TO-247 - TO-220/FP - D2/I2PAKMDmesh Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) ID31STP20NM60 600V

 5.2. Size:256K  st
 stw20nm60.pdf pdf_icon

STW20NM60FD

STW20NM60N-CHANNEL 600V - 0.26 - 20A TO-247MDmeshPower MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW20NM60 600V

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History: OSG65R1K4DF | IPU78CN10N | WSF50N10 | IRF5M4905 | SI2305ADS | SDF350 | MEE7296-G

 

 
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