STW35N65M5 Todos los transistores

 

STW35N65M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW35N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 84 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.098 Ohm

Encapsulados: TO247

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STW35N65M5 datasheet

 ..1. Size:1202K  st
stb35n65m5 stf35n65m5 sti35n65m5 stp35n65m5 stw35n65m5.pdf pdf_icon

STW35N65M5

STB35N65M5, STF35N65M5, STI35N65M5 STP35N65M5, STW35N65M5 N-channel 650 V, 0.085 , 27 A, MDmesh V Power MOSFET in D2PAK, I2PAK, TO-220FP, TO-220, TO-247 Features VDSS @ Type RDS(on) max ID TJMAX 3 3 1 2 3 1 2 STB35N65M5 710 V

 6.1. Size:257K  st
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STW35N65M5

STW35N65DM2 Datasheet N-channel 650 V, 93 m typ., 32 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Features VDS RDS(on) max. ID Order code STW35N65DM2 650 V 110 m 32 A Fast-recovery body diode 3 Extremely low gate charge and input capacitance 2 1 Low on-resistance 100% avalanche tested TO-247 Extremely high dv/dt ruggedness Zener-protected D(2, TAB

 7.1. Size:578K  st
stw35n60dm2.pdf pdf_icon

STW35N65M5

STW35N60DM2 N-channel 600 V, 0.094 typ., 28 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package Datasheet - production data Features R DS(on) Order code VDS ID PTOT max. STW35N60DM2 600 V 0.110 28 A 210 W Fast-recovery body diode 3 Extremely low gate charge and input 2 capacitance 1 Low on-resistance 100% avalanche tested TO-247 Extremely

Otros transistores... STW30N65M5 , STW30NF20 , STW30NM50N , STW32N55M5 , STW32N65M5 , STW34NB20 , STW34NM60N , STW34NM60ND , IRF830 , STW36NM60N , STW3N150 , STW40NF20 , STW42N65M5 , STW43NM60N , STW43NM60ND , STW45NM50 , STW45NM50FD .

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