STW36NM60N Todos los transistores

 

STW36NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW36NM60N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 210 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 173 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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STW36NM60N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:859K  st
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STW36NM60N

STW36NM60NN-channel 600 V, 0.092 , 29 A, MDmesh II Power MOSFETin TO-247FeaturesRDS(on) VDSS @ Order code ID PWTJmaxmaxSTW36NM60N 650 V

 0.1. Size:1353K  st
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STW36NM60N

STB36NM60ND, STW36NM60NDAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.097 typ., 29 A FDmesh II Power MOSFETs (with fast diode) in D2PAK and TO-247 packagesDatasheet - production dataFeaturesVDSS @TJ RDS(on) Order codes IDmax. max.TABSTB36NM60ND650 V 0.110 29 ASTW36NM60ND3 Designed for automotive applications and 1 32 AEC-Q101 qualified1 100% avalanche t

 8.1. Size:415K  st
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STW36NM60N

STP36N60M6, STW36N60M6N-channel 600 V, 85 m typ., 30 A MDmesh M6 Power MOSFETs in TO-220 and TO-247 packages Datasheet - production data Features TABOrder code V R max. I DS DS(on) DSTP36N60M6 600 V 99 m 30 A STW36N60M6 33 Reduced switching losses 221 Lower R x area vs previous generation DS(on)1 Low gate input resistance 100% avalanche tested

 8.2. Size:759K  st
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STW36NM60N

STP36N55M5 STW36N55M5N-channel 550 V, 0.06 typ., 33 A MDmesh V Power MOSFET in TO-220 and TO-247 packagesDatasheet production dataFeaturesVDSS @ RDS(on) Order codes IDTJmax maxTABSTP36N55M5600 V

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History: HCFL65R130 | IRFS240B | STW30NM50N | SMG2325P | NTD65N03R | UTT18P10L-TN3-R

 

 
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