STW45NM50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STW45NM50
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 107.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 610 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW45NM50
STW45NM50 Datasheet (PDF)
stw45nm50.pdf
STW45NM50N-channel 550 V @ TJmax, 0.08 , 45 A, TO-247MDmesh Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTW45NM50FD 500 V
stw45nm50.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STW45NM50FEATURESLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSThe MDmesh family is very suitable for increasingpower density of high voltage converters allowing systemminiat
stw45nm50fd.pdf
STW45NM50FDN-channel 500 V, 0.07 , 45 A, TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)FeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTW45NM50FD 500 V
stw45nm60.pdf
STW45NM60N-channel 650V@Tjmax - 0.09 - 45A - TO-247MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)STW45NM60 650V
stw45nm60.pdf
INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STW45NM60FEATURESHigh dv/dt and avalanche capabilitiesLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedTight process control and high manufacturing yieldsMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching application
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History: STD1NA60-1
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