Справочник MOSFET. STW45NM50

 

STW45NM50 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STW45NM50
   Маркировка: W45NM50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 417 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 87 nC
   trⓘ - Время нарастания: 107.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для STW45NM50

 

 

STW45NM50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:585K  st
stw45nm50.pdf

STW45NM50
STW45NM50

STW45NM50N-channel 550 V @ TJmax, 0.08 , 45 A, TO-247MDmesh Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTW45NM50FD 500 V

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
stw45nm50.pdf

STW45NM50
STW45NM50

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STW45NM50FEATURESLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSThe MDmesh family is very suitable for increasingpower density of high voltage converters allowing systemminiat

 0.1. Size:581K  st
stw45nm50fd.pdf

STW45NM50
STW45NM50

STW45NM50FDN-channel 500 V, 0.07 , 45 A, TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)FeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTW45NM50FD 500 V

 7.1. Size:325K  st
stw45nm60.pdf

STW45NM50
STW45NM50

STW45NM60N-channel 650V@Tjmax - 0.09 - 45A - TO-247MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)STW45NM60 650V

 7.2. Size:200K  inchange semiconductor
stw45nm60.pdf

STW45NM50
STW45NM50

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STW45NM60FEATURESHigh dv/dt and avalanche capabilitiesLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedTight process control and high manufacturing yieldsMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching application

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top