STW45NM50FD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STW45NM50FD
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 417 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 107.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1260 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW45NM50FD

STW45NM50FD Datasheet (PDF)

..1. Size:581K st
stw45nm50fd.pdf

STW45NM50FDN-channel 500 V, 0.07 , 45 A, TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)FeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTW45NM50FD 500 V

5.1. Size:585K st
stw45nm50.pdf

STW45NM50N-channel 550 V @ TJmax, 0.08 , 45 A, TO-247MDmesh Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTW45NM50FD 500 V

5.2. Size:212K inchange semiconductor
stw45nm50.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STW45NM50FEATURESLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSThe MDmesh family is very suitable for increasingpower density of high voltage converters allowing systemminiat

7.1. Size:325K st
stw45nm60.pdf

STW45NM60N-channel 650V@Tjmax - 0.09 - 45A - TO-247MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)STW45NM60 650V

7.2. Size:200K inchange semiconductor
stw45nm60.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STW45NM60FEATURESHigh dv/dt and avalanche capabilitiesLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedTight process control and high manufacturing yieldsMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching application

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: