Справочник MOSFET. STW45NM50FD

 

STW45NM50FD MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STW45NM50FD
   Маркировка: W45NM50FD
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 417 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 45 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 92 nC
   Время нарастания (tr): 107.5 ns
   Выходная емкость (Cd): 1260 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO247

 Аналог (замена) для STW45NM50FD

 

 

STW45NM50FD Datasheet (PDF)

 ..1. Size:581K  st
stw45nm50fd.pdf

STW45NM50FD STW45NM50FD

STW45NM50FDN-channel 500 V, 0.07 , 45 A, TO-247FDmesh Power MOSFET (with fast diode)FeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTW45NM50FD 500 V

 5.1. Size:585K  st
stw45nm50.pdf

STW45NM50FD STW45NM50FD

STW45NM50N-channel 550 V @ TJmax, 0.08 , 45 A, TO-247MDmesh Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS IDmaxSTW45NM50FD 500 V

 5.2. Size:212K  inchange semiconductor
stw45nm50.pdf

STW45NM50FD STW45NM50FD

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STW45NM50FEATURESLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSThe MDmesh family is very suitable for increasingpower density of high voltage converters allowing systemminiat

 7.1. Size:325K  st
stw45nm60.pdf

STW45NM50FD STW45NM50FD

STW45NM60N-channel 650V@Tjmax - 0.09 - 45A - TO-247MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)STW45NM60 650V

 7.2. Size:200K  inchange semiconductor
stw45nm60.pdf

STW45NM50FD STW45NM50FD

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STW45NM60FEATURESHigh dv/dt and avalanche capabilitiesLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedTight process control and high manufacturing yieldsMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching application

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top