STW47NM60ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STW47NM60ND
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 255 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STW47NM60ND

STW47NM60ND Datasheet (PDF)

..1. Size:673K st
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STW47NM60NDAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.075 typ., 35 A FDmesh IIPower MOSFET (with fast diode) in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS @ TJMAX RDS(on) max IDSTW47NM60ND 650 V 0.088 35 A Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified32 The worldwide best RDS(on)*area amongst the 1fast recovery diode device

..2. Size:304K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor STW47NM60NDFEATURESDrain Current I = 35A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 88m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive

5.1. Size:117K st
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