STW47NM60ND Todos los transistores

 

STW47NM60ND MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW47NM60ND
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 255 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 40 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.088 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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STW47NM60ND Datasheet (PDF)

 ..1. Size:673K  st
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STW47NM60ND

STW47NM60NDAutomotive-grade N-channel 600 V, 0.075 typ., 35 A FDmesh IIPower MOSFET (with fast diode) in a TO-247 packageDatasheet - production dataFeatures Order code VDS @ TJMAX RDS(on) max IDSTW47NM60ND 650 V 0.088 35 A Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified32 The worldwide best RDS(on)*area amongst the 1fast recovery diode device

 ..2. Size:304K  inchange semiconductor
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STW47NM60ND

isc N-Channel MOSFET Transistor STW47NM60NDFEATURESDrain Current I = 35A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V = 600V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 88m(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONmotor drive, DC-DC converter, power switchand solenoid drive

 5.1. Size:117K  st
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STW47NM60ND

STW47NM60N-CHANNEL 600V - 0.075 - 47ATO-247MDmeshPower MOSFETADVANCED DATATYPE VDSS RDS(on) Rds(on)*Qg IDSTW47NM60 600V

 7.1. Size:117K  st
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STW47NM60ND

STW47NM50N-CHANNEL 500V - 0.065 - 45ATO-247MDmeshPower MOSFETADVANCED DATATYPE VDSS RDS(on) Rds(on)*Qg IDSTW47NM50 500V

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History: AP4409AGEH-HF | YJL3139KT

 

 
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