STW77N65M5 Todos los transistores

 

STW77N65M5 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STW77N65M5

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: TO247

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STW77N65M5 datasheet

 ..1. Size:754K  st
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STW77N65M5

STW77N65M5 N-channel 650 V, 0.033 , 69 A, MDmesh V Power MOSFET TO-247 Features VDSS Type RDS(on) max ID @TjMAX STW77N65M5 710 V

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
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STW77N65M5

INCHANGE Semiconductor Isc N-Channel MOSFET Transistor STW77N65M5 FEATURES With TO-247 package Low input capacitance and gate charge Low gate input resistance Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMET

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History: BSC027N10NS5

 

 

 

 

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