STW77N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STW77N65M5
   Código: 77N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 200 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

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STW77N65M5 Datasheet (PDF)

..1. Size:754K st
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STW77N65M5N-channel 650 V, 0.033 , 69 A, MDmesh V Power MOSFETTO-247FeaturesVDSS Type RDS(on) max ID@TjMAXSTW77N65M5 710 V

..2. Size:212K inchange semiconductor
stw77n65m5.pdf

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STW77N65M5FEATURESWith TO-247 packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMET

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Liste

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