STW77N65M5 Todos los transistores

 

STW77N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW77N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 400 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 69 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 90 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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STW77N65M5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:754K  st
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STW77N65M5

STW77N65M5N-channel 650 V, 0.033 , 69 A, MDmesh V Power MOSFETTO-247FeaturesVDSS Type RDS(on) max ID@TjMAXSTW77N65M5 710 V

 ..2. Size:212K  inchange semiconductor
 stw77n65m5.pdf pdf_icon

STW77N65M5

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor STW77N65M5FEATURESWith TO-247 packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistanceEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMET

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History: HGI120N10A | IPD60R1K5CE | NTMFS4C054N | IXFH28N50F | MMBF5484 | CHM4435AZGP | FQD13N10LTF

 

 
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