STW7N95K3 Todos los transistores

 

STW7N95K3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW7N95K3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 950 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 79 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.35 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
     - Selección de transistores por parámetros

 

STW7N95K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:939K  st
stf7n95k3 stp7n95k3 stw7n95k3.pdf pdf_icon

STW7N95K3

STF7N95K3STP7N95K3, STW7N95K3N-channel 950 V, 1.1 , 7.2 A, TO-220, TO-220FP, TO-247Zener-protected SuperMESH3 Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax3STF7N95K3 950 V

 9.1. Size:132K  1
sth7na80fi stw7na80.pdf pdf_icon

STW7N95K3

STW7NA80STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA80 800 V

 9.2. Size:253K  st
stw7nb80.pdf pdf_icon

STW7N95K3

STW7NB80N-CHANNEL 800V - 1.6 - 6.5A - TO-247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NB80 800 V

 9.3. Size:76K  st
stw7na100.pdf pdf_icon

STW7N95K3

STW7NA100STH7NA100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA100 1000 V

Otros transistores... STW60N65M5 , STW62NM60N , STW6N120K3 , STW6N95K5 , STW70N10F4 , STW75NF20 , STW75NF30 , STW77N65M5 , IRFP260N , STW7NK90Z , STW8NK80Z , STW90NF20 , STW9N150 , STW9NK70Z , STW9NK90Z , STY112N65M5 , STY130NF20D .

History: IXTP50N28T

 

 
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