Справочник MOSFET. STW7N95K3

 

STW7N95K3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW7N95K3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 950 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm
   Тип корпуса: TO247
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STW7N95K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:939K  st
stf7n95k3 stp7n95k3 stw7n95k3.pdfpdf_icon

STW7N95K3

STF7N95K3STP7N95K3, STW7N95K3N-channel 950 V, 1.1 , 7.2 A, TO-220, TO-220FP, TO-247Zener-protected SuperMESH3 Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax3STF7N95K3 950 V

 9.1. Size:132K  1
sth7na80fi stw7na80.pdfpdf_icon

STW7N95K3

STW7NA80STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA80 800 V

 9.2. Size:253K  st
stw7nb80.pdfpdf_icon

STW7N95K3

STW7NB80N-CHANNEL 800V - 1.6 - 6.5A - TO-247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NB80 800 V

 9.3. Size:76K  st
stw7na100.pdfpdf_icon

STW7N95K3

STW7NA100STH7NA100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA100 1000 V

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: BRD50N03 | APT1001RBVFR | 2SK610 | 2SK2525-01 | AP55T10GH-HF | MTB1D7N03ATH8 | WML12N100C2

 

 
Back to Top

 


 
.