Справочник MOSFET. STW7N95K3

 

STW7N95K3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW7N95K3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 950 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 79 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.35 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для STW7N95K3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW7N95K3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:939K  st
stf7n95k3 stp7n95k3 stw7n95k3.pdfpdf_icon

STW7N95K3

STF7N95K3STP7N95K3, STW7N95K3N-channel 950 V, 1.1 , 7.2 A, TO-220, TO-220FP, TO-247Zener-protected SuperMESH3 Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID Pwmax3STF7N95K3 950 V

 9.1. Size:132K  1
sth7na80fi stw7na80.pdfpdf_icon

STW7N95K3

STW7NA80STH7NA80FI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA80 800 V

 9.2. Size:253K  st
stw7nb80.pdfpdf_icon

STW7N95K3

STW7NB80N-CHANNEL 800V - 1.6 - 6.5A - TO-247PowerMESH MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NB80 800 V

 9.3. Size:76K  st
stw7na100.pdfpdf_icon

STW7N95K3

STW7NA100STH7NA100FIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORSTYPE VDSS RDS(on) IDSTW7NA100 1000 V

Другие MOSFET... STW60N65M5 , STW62NM60N , STW6N120K3 , STW6N95K5 , STW70N10F4 , STW75NF20 , STW75NF30 , STW77N65M5 , IRF640N , STW7NK90Z , STW8NK80Z , STW90NF20 , STW9N150 , STW9NK70Z , STW9NK90Z , STY112N65M5 , STY130NF20D .

History: AON6450 | IRFM260 | OSG60R180FSF-NB | AOD4191L | FQB27P06TM | CEP04N7G | PJA3402

 

 
Back to Top

 


 
.