STW8NK80Z Todos los transistores

 

STW8NK80Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STW8NK80Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 143 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247
 

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STW8NK80Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:422K  st
 stp8nk80z stp8nk80zfp stw8nk80z.pdf pdf_icon

STW8NK80Z

STP8NK80Z - STP8NK80ZFPSTW8NK80ZN-channel 800V - 1.3 - 6.2A - TO-220 /TO-220FP/TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTP8NK80Z 800 V

 9.1. Size:406K  1
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STW8NK80Z

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STW8NK80Z

STW8NC90ZN-CHANNEL 900V - 1.1 - 7.6A TO-247Zener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NC90Z 900 V

 9.3. Size:175K  st
 stw8nb100.pdf pdf_icon

STW8NK80Z

STW8NB100N-CHANNEL 1000V - 1.3 - 7.3ATO-247PowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NB100 1000V

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History: SI3499DV | SSW80R160S2 | MMP6975

 

 
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