Справочник MOSFET. STW8NK80Z

 

STW8NK80Z Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STW8NK80Z
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 143 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для STW8NK80Z

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STW8NK80Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:422K  st
 stp8nk80z stp8nk80zfp stw8nk80z.pdf pdf_icon

STW8NK80Z

STP8NK80Z - STP8NK80ZFPSTW8NK80ZN-channel 800V - 1.3 - 6.2A - TO-220 /TO-220FP/TO-247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTP8NK80Z 800 V

 9.1. Size:406K  1
 sth8n80 sth8n80fi stw8n80.pdf pdf_icon

STW8NK80Z

 9.2. Size:267K  st
 stw8nc90z.pdf pdf_icon

STW8NK80Z

STW8NC90ZN-CHANNEL 900V - 1.1 - 7.6A TO-247Zener-Protected PowerMESHIII MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NC90Z 900 V

 9.3. Size:175K  st
 stw8nb100.pdf pdf_icon

STW8NK80Z

STW8NB100N-CHANNEL 1000V - 1.3 - 7.3ATO-247PowerMesh MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTW8NB100 1000V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... STW6N120K3 , STW6N95K5 , STW70N10F4 , STW75NF20 , STW75NF30 , STW77N65M5 , STW7N95K3 , STW7NK90Z , 10N60 , STW90NF20 , STW9N150 , STW9NK70Z , STW9NK90Z , STY112N65M5 , STY130NF20D , STY140NS10 , STY30NK90Z .

History: IXTP64N10L2 | IPD90N03S4L-03 | AOI4126 | BL7N65B-D | 2SK2666 | DMN62D0SFD | AOT2502L

 

 
Back to Top

 


 
.