STY30NK90Z Todos los transistores

 

STY30NK90Z MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STY30NK90Z
   Código: Y30NK90Z
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 350 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 852 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
   Paquete / Cubierta: MAX247

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STY30NK90Z Datasheet (PDF)

 ..1. Size:255K  st
sty30nk90z.pdf

STY30NK90Z
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STY30NK90ZN-channel 900V - 0.21 - 26A - Max247Zener-protected SuperMESH Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID pWSTY30NK90Z 900V

 8.1. Size:94K  st
sty30na50.pdf

STY30NK90Z
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STY30NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEFAST POWER MOS TRANSISTORPRELIMINARY DATATYPE V R IDSS DS(on) DSTY30NA50 500 V

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