STY30NK90Z MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STY30NK90Z
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 450 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 26 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 852 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.26 Ohm
Encapsulados: MAX247
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STY30NK90Z datasheet
sty30nk90z.pdf
STY30NK90Z N-channel 900V - 0.21 - 26A - Max247 Zener-protected SuperMESH Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID pW STY30NK90Z 900V
sty30na50.pdf
STY30NA50 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE FAST POWER MOS TRANSISTOR PRELIMINARY DATA TYPE V R I DSS DS(on) D STY30NA50 500 V
Otros transistores... STW8NK80Z , STW90NF20 , STW9N150 , STW9NK70Z , STW9NK90Z , STY112N65M5 , STY130NF20D , STY140NS10 , P55NF06 , STY60NK30Z , STY60NM50 , STY60NM60 , STY80NM60N , STZ150NF55T , BSB012N03LX3G , BSB012NE2LX , BSB014N04LX3G .
History: SWF20N65K2 | HYG055N08NS1P | STY112N65M5 | HM10N10I
History: SWF20N65K2 | HYG055N08NS1P | STY112N65M5 | HM10N10I
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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