STY80NM60N MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STY80NM60N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 447 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 74 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 455 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Encapsulados: MAX247
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STY80NM60N datasheet
sty80nm60n.pdf
STY80NM60N N-channel 600 V, 0.030 , 74 A, MDmesh II Power MOSFET Max247 Features VDSS @ Type RDS(on) max ID TJmax STY80NM60N 650 V
Otros transistores... STW9NK90Z , STY112N65M5 , STY130NF20D , STY140NS10 , STY30NK90Z , STY60NK30Z , STY60NM50 , STY60NM60 , IRF630 , STZ150NF55T , BSB012N03LX3G , BSB012NE2LX , BSB014N04LX3G , BSB015N04NX3G , BSB017N03LX3G , BSB019N03LXG , BSB024N03LXG .
History: BSC014N03MSG | HM100N15A | BSB024N03LXG | BSC010NE2LS
History: BSC014N03MSG | HM100N15A | BSB024N03LXG | BSC010NE2LS
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Liste
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MOSFET: ASU70R600E | ASU65R850E | ASU65R550E | ASU65R350E | ASR65R120EFD | ASR65R046EFD | ASQ65R046EFD | ASM65R280E | ASM60R330E | ASE70R950E | ASD80R750E | ASD70R950E | ASD70R600E | ASD70R380E | ASD65R850E | ASD65R550E
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