STY80NM60N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STY80NM60N
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 447 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 74 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 65 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 455 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Paquete / Cubierta: MAX247
Búsqueda de reemplazo de STY80NM60N MOSFET
STY80NM60N Datasheet (PDF)
sty80nm60n.pdf
STY80NM60NN-channel 600 V, 0.030 , 74 A, MDmesh II Power MOSFETMax247FeaturesVDSS @ Type RDS(on) max IDTJmaxSTY80NM60N 650 V
Otros transistores... STW9NK90Z , STY112N65M5 , STY130NF20D , STY140NS10 , STY30NK90Z , STY60NK30Z , STY60NM50 , STY60NM60 , IRF9540 , STZ150NF55T , BSB012N03LX3G , BSB012NE2LX , BSB014N04LX3G , BSB015N04NX3G , BSB017N03LX3G , BSB019N03LXG , BSB024N03LXG .
History: 2SK2362 | AON5802BG | 3N172 | AOC2804B | SSW50R240S | AOC2415 | 5LP01S
History: 2SK2362 | AON5802BG | 3N172 | AOC2804B | SSW50R240S | AOC2415 | 5LP01S
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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