STZ150NF55T Todos los transistores

 

STZ150NF55T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STZ150NF55T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 18 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.009 Ohm

Encapsulados: P2PAK

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STZ150NF55T datasheet

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STZ150NF55T

STZ150NF55T N-CHANNEL TEMPERATURE SENSING 55V - P PAK SAFeFET MOSFET DATA BRIEF General features Package VDSSS RDS(on) ID Type STZ150NF55T 55 V

Otros transistores... STY112N65M5 , STY130NF20D , STY140NS10 , STY30NK90Z , STY60NK30Z , STY60NM50 , STY60NM60 , STY80NM60N , IRF9540 , BSB012N03LX3G , BSB012NE2LX , BSB014N04LX3G , BSB015N04NX3G , BSB017N03LX3G , BSB019N03LXG , BSB024N03LXG , BSB028N06NN3G .

History: IXFH10N90 | STY60NM60 | 4N65G | BSB012NE2LX

 

 

 

 

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