STZ150NF55T. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: STZ150NF55T
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 18 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.009 Ohm
Тип корпуса: P2PAK
Аналог (замена) для STZ150NF55T
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
STZ150NF55T даташит
stz150nf55t.pdf
STZ150NF55T N-CHANNEL TEMPERATURE SENSING 55V - P PAK SAFeFET MOSFET DATA BRIEF General features Package VDSSS RDS(on) ID Type STZ150NF55T 55 V
Другие MOSFET... STY112N65M5 , STY130NF20D , STY140NS10 , STY30NK90Z , STY60NK30Z , STY60NM50 , STY60NM60 , STY80NM60N , IRF9540 , BSB012N03LX3G , BSB012NE2LX , BSB014N04LX3G , BSB015N04NX3G , BSB017N03LX3G , BSB019N03LXG , BSB024N03LXG , BSB028N06NN3G .
History: 8N06D
History: 8N06D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
647 transistor | d525 transistor | 2sc1583 | g60t60an3h | mosfet k8a50d | sl100 transistor | d2499 datasheet | 6r190p6 datasheet