BSB017N03LX3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSB017N03LX3G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 6.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2300 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
Paquete / Cubierta: WDSON2
Búsqueda de reemplazo de BSB017N03LX3G MOSFET
BSB017N03LX3G datasheet
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History: FS5AS-06
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