Справочник MOSFET. BSB017N03LX3G

 

BSB017N03LX3G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSB017N03LX3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 32 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2300 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: WDSON2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BSB017N03LX3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1548K  infineon
bsb017n03lx3 bsb017n03lx3g.pdfpdf_icon

BSB017N03LX3G

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB017N03LX3 Data Sheet2.2, 2011-05-27Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB017N03LX3 G1 DescriptionOptiMOS30V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make Op

 9.1. Size:548K  infineon
bsb019n03lx.pdfpdf_icon

BSB017N03LX3G

& " + $ !#& '$>EFeatures 0 VDST +5 9E88 C?4G

 9.2. Size:1557K  infineon
bsb014n04lx3g.pdfpdf_icon

BSB017N03LX3G

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB014N04LX3 G Data Sheet2.2, 2011-05-24Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB014N04LX3 G1 DescriptionOptiMOS40V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make

 9.3. Size:1566K  infineon
bsb015n04nx3g.pdfpdf_icon

BSB017N03LX3G

n-Channel Power MOSFETOptiMOSBSB015N04NX3 G Data Sheet2.3, 2011-05-24Final Industrial & MultimarketOptiMOS Power-MOSFETBSB015N04NX3 G1 DescriptionOptiMOS40V products are class leading power MOSFETs for highest powerdensity and energy efficient solutions. Ultra low gate- and output charges togetherwith lowest on state resistance in small footprint packages make

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FX20ASJ-2 | SIHG47N60S | IRLR2705PBF | 9N95 | IRF3415PBF | FQA13N50CF109 | HGI110N08AL

 

 
Back to Top

 


 
.