BSC010NE2LS Todos los transistores

 

BSC010NE2LS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC010NE2LS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 39 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1700 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.001 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8
 

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BSC010NE2LS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:755K  infineon
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BSC010NE2LS

BSC010NE2LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 25 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max 1.0 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 100 A 100% avalanche testedQOSS 33 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 64 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8

 0.1. Size:1788K  infineon
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BSC010NE2LS

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM Power-MOSFET, 25 VBSC010NE2LSIData SheetRev. 2.3FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM Power-MOSFET, 25 VBSC010NE2LSISuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance Buck converter Monolithic integrated Schottky like diode Very low on-resi

 7.1. Size:573K  infineon
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BSC010NE2LS

BSC010N04LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for sychronous rectificationRDS(on),max 1.0 mW Very low on-resistance RDS(on)ID 100 A 100% avalanche testedQoss 84 nC Superior thermal resistanceQg(0V..10V) 95 nC N-channel, logic levelPG-TDSON-8 FL Qualified according to JEDEC1) for target applications (enlarg

 7.2. Size:1279K  infineon
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BSC010NE2LS

BSC010N04LSTMOSFETTDSON-8 FL (enlarged source interconnection)OptiMOSTM Power-MOSFET, 40 V876Features5 Optimized for sychronous rectification 175 C rated1 52 6 Very low on-resistance RDS(on) 734 8 100% avalanche tested Superior thermal resistance4 N-channel, logic level3 Qualified according to JEDEC1) for target applications 2

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History: 2SK2130 | NCE50NF600I | BUK9Y4R4-40E | MMIX1F360N15T2 | TPP65R070D | 2N6917 | AON6718L

 

 
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