Справочник MOSFET. BSC010NE2LS

 

BSC010NE2LS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSC010NE2LS
   Маркировка: 010NE2LS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 25 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 39 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 64 nC
   trⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1700 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.001 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8

 Аналог (замена) для BSC010NE2LS

 

 

BSC010NE2LS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:755K  infineon
 bsc010ne2ls.pdf

BSC010NE2LS BSC010NE2LS

BSC010NE2LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 25 V Optimized for high performance Buck converter RDS(on),max 1.0 mW Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GSID 100 A 100% avalanche testedQOSS 33 nC Superior thermal resistanceQG(0V..10V) 64 nC N-channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8

 0.1. Size:1788K  infineon
 bsc010ne2lsi.pdf

BSC010NE2LS BSC010NE2LS

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM Power-MOSFET, 25 VBSC010NE2LSIData SheetRev. 2.3FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM Power-MOSFET, 25 VBSC010NE2LSISuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance Buck converter Monolithic integrated Schottky like diode Very low on-resi

 7.1. Size:573K  infineon
 bsc010n04ls.pdf

BSC010NE2LS BSC010NE2LS

BSC010N04LSOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for sychronous rectificationRDS(on),max 1.0 mW Very low on-resistance RDS(on)ID 100 A 100% avalanche testedQoss 84 nC Superior thermal resistanceQg(0V..10V) 95 nC N-channel, logic levelPG-TDSON-8 FL Qualified according to JEDEC1) for target applications (enlarg

 7.2. Size:1279K  infineon
 bsc010n04lst.pdf

BSC010NE2LS BSC010NE2LS

BSC010N04LSTMOSFETTDSON-8 FL (enlarged source interconnection)OptiMOSTM Power-MOSFET, 40 V876Features5 Optimized for sychronous rectification 175 C rated1 52 6 Very low on-resistance RDS(on) 734 8 100% avalanche tested Superior thermal resistance4 N-channel, logic level3 Qualified according to JEDEC1) for target applications 2

 7.3. Size:1476K  infineon
 bsc010n04ls6.pdf

BSC010NE2LS BSC010NE2LS

BSC010N04LS6MOSFETTDSON-8 FL (enlarged source interconnection)OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V876Features5 Optimized for synchronous application Very low on-resistance RDS(on)1 52 6 100% avalanche tested734 8 Superior thermal resistance N-channel4 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-21 2

 7.4. Size:598K  infineon
 bsc010n04lsi.pdf

BSC010NE2LS BSC010NE2LS

BSC010N04LSIOptiMOSTM Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 40 V Optimized for synchronous rectificationRDS(on),max 1.05 mW Integrated monolithic Schottky-like diodeA ID 100 Very low on-resistance RDS(on)QOSS 83 nC 100% avalanche tested87 nC QG(0V..10V) N-channel, channel Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSO

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top