BSC014N03MSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSC014N03MSG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2600 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0014 Ohm
Paquete / Cubierta: TDSON8
Búsqueda de reemplazo de BSC014N03MSG MOSFET
BSC014N03MSG Datasheet (PDF)
bsc014n03msg.pdf

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bsc014n03ms.pdf

BSC014N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)R V =10 V 1.4mDS(on),max GS Low FOMSW for High Frequency SMPSV =4.5 V 1.75GS 100% avalanche testedI 100 AD N-channelPG-TDSON-8 Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R prod
bsc014n03ls .pdf

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bsc014n03ls.pdf

BSC014N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 1.4mDS(on),max Optimized technology for DC/DC convertersI 100 AD Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel Logic level; Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)
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History: CTD06N7P5 | PMPB47XP | IXTM10N60 | SM6A24NSU | IRFIP054 | STD100NH02LT4 | HGW059N12S
History: CTD06N7P5 | PMPB47XP | IXTM10N60 | SM6A24NSU | IRFIP054 | STD100NH02LT4 | HGW059N12S



Liste
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