BSC026N02KSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC026N02KSG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 78 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 100 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 40 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0026 Ohm

Empaquetado / Estuche: SuperSO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSC026N02KSG

BSC026N02KSG Datasheet (PDF)

1.1. bsc026n02ks.pdf Size:659K _update-mosfet

% ! % D #:A0< &<,9=4=>:< #<:/?.> %?88,2= B6C:CD2?46 Q F2=2?496 B2D65

1.2. bsc026n02ksgrev1.06.pdf Size:662K _infineon

% ! % D #:A0< &<,9=4=>:< #<:/?.> %?88,2= B6C:CD2?46 Q F2=2?496 B2D65 Q *3

2.1. bsc026n08ns5.pdf Size:1182K _update-mosfet

MOSFET Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor OptiMOSTM OptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 V BSC026N08NS5 Data Sheet Rev. 2.0 Final Power Management & Multimarket OptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 V BSC026N08NS5 SuperSO8 1 Description 5 8 6 7 Features 7 6 8 5 • Optimized for Synchronous Rectification in server and desktop • 100% avalanche tested • Superior t

2.2. bsc026n04ls.pdf Size:586K _update-mosfet

BSC026N04LS OptiMOSTM Power-MOSFET Product Summary Features VDS 40 V • Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. RDS(on),max 2.6 mW • Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS ID 100 A • 100% avalanche tested QOSS 28 nC • Superior thermal resistance QG(0V..10V) 32 nC • N-channel • Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TDSON-

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: