BSC057N08NS3G Todos los transistores

 

BSC057N08NS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC057N08NS3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 14 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 780 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0057 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8
 

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BSC057N08NS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:587K  infineon
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BSC057N08NS3G

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 6.1. Size:486K  infineon
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BSC057N08NS3G

BSC057N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)RDS(on),max VGS=10 V 5.7 mW Low FOMSW for High Frequency SMPSVGS=4.5 V 7.2 100% avalanche testedID 71 A N-channelPG-TDSON-8 Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM

 6.2. Size:548K  infineon
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BSC057N08NS3G

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BSC057N08NS3G

BSC057N03LS GOptiMOS3 Power-MOSFETProduct Summary FeaturesVDS 30 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 5.7 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 71 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Super

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History: HFP2N60S | LSD55R140GF | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | CSD25481F4

 

 
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