BSC059N03SG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSC059N03SG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.8 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 720 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Paquete / Cubierta: TDSON8
Búsqueda de reemplazo de BSC059N03SG MOSFET
BSC059N03SG Datasheet (PDF)
bsc059n03s.pdf

BSC059N03SOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 5.5m DS(on),max Optimized technology for notebook DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1 for target applications N-channel Logic levelP-TDSON-8 Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)
bsc059n04ls6.pdf

BSC059N04LS6MOSFETTDSON-8 FL (enlarged source interconnection)OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V876Features5 Optimized for synchronous application Very low on-resistance RDS(on)1 52 6 100% avalanche tested734 8 Superior thermal resistance N-channel4 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-21 2
bsc059n04lsg.pdf

BSC059N04LS GOptiMOS3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 40 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 5.9 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 73 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) S
Otros transistores... BSC050N04LSG , BSC050NE2LS , BSC052N03LS , BSC052N03SG , BSC054N04NSG , BSC057N03LSG , BSC057N03MSG , BSC057N08NS3G , STP65NF06 , BSC059N04LSG , BSC060N10NS3G , BSC060P03NS3EG , BSC067N06LS3G , BSC070N10NS3G , BSC072N03LDG , BSC076N06NS3G , BSC077N12NS3G .
History: MXP6006DP | IXTR170P10P | IXFH80N08 | OSG65R069H4SZF | HCP60R099 | 2SK1408 | SM3381EHQG
History: MXP6006DP | IXTR170P10P | IXFH80N08 | OSG65R069H4SZF | HCP60R099 | 2SK1408 | SM3381EHQG



Liste
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MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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