BSC059N04LSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSC059N04LSG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0059 Ohm
Paquete / Cubierta: TDSON8
Búsqueda de reemplazo de BSC059N04LSG MOSFET
BSC059N04LSG Datasheet (PDF)
bsc059n04lsg.pdf

BSC059N04LS GOptiMOS3 Power-TransistorProduct Summary FeaturesVDS 40 V Fast switching MOSFET for SMPSRDS(on),max 5.9 mW Optimized technology for DC/DC convertersID 73 A Qualified according to JEDEC1) for target applicationsPG-TDSON-8 N-channel; Logic level Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on) S
bsc059n04ls6.pdf

BSC059N04LS6MOSFETTDSON-8 FL (enlarged source interconnection)OptiMOSTM 6 Power-Transistor, 40 V876Features5 Optimized for synchronous application Very low on-resistance RDS(on)1 52 6 100% avalanche tested734 8 Superior thermal resistance N-channel4 Pb-free lead plating; RoHS compliant3 Halogen-free according to IEC61249-2-21 2
bsc059n03s.pdf

BSC059N03SOptiMOS2 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Fast switching MOSFET for SMPSR 5.5m DS(on),max Optimized technology for notebook DC/DC convertersI 50 AD Qualified according to JEDEC1 for target applications N-channel Logic levelP-TDSON-8 Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on)
Otros transistores... BSC050NE2LS , BSC052N03LS , BSC052N03SG , BSC054N04NSG , BSC057N03LSG , BSC057N03MSG , BSC057N08NS3G , BSC059N03SG , IRF1405 , BSC060N10NS3G , BSC060P03NS3EG , BSC067N06LS3G , BSC070N10NS3G , BSC072N03LDG , BSC076N06NS3G , BSC077N12NS3G , BSC079N10NSG .
History: 2SJ652-1E | SL4N65I | BUK101-50GL
History: 2SJ652-1E | SL4N65I | BUK101-50GL



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMTC80N06A | JMTC6888A | JMTC60N04B | JMTC58N06B | JMTC4004A | JMTC320N10A | JMTC3005A | JMTC3003A | JMTC3002B | JMTC170N10A | JMTC110N06A | JMTC085P04A | JMTC068N07A | JMTC060N06A | JMTC035N06D | JMTC035N04A
Popular searches
ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor | pa110bda | 2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet