BSC059N04LSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC059N04LSG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 50 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 40 V

Corriente continua de drenaje (Id): 73 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Carga de compuerta (Qg): 30 nC

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.0059 Ohm

Empaquetado / Estuche: SuperSO8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSC059N04LSG

BSC059N04LSG Datasheet (PDF)

1.1. bsc059n04lsg rev1.04.pdf Size:643K _infineon

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2.1. bsc059n03s.pdf Size:274K _update-mosfet

BSC059N03S OptiMOS®2 Power-Transistor Product Summary Features V 30 V DS • Fast switching MOSFET for SMPS R 5.5 m DS(on),max • Optimized technology for notebook DC/DC converters I 50 A D • Qualified according to JEDEC1 for target applications • N-channel • Logic level P-TDSON-8 • Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) • Very low on-resistance R DS(on)

2.2. bsc059n03s rev1.56 g.pdf Size:634K _infineon