BSC060N10NS3G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC060N10NS3G  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 14.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TDSON8

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BSC060N10NS3G datasheet

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BSC060N10NS3G

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BSC060N10NS3G

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BSC060N10NS3G

Type BSC067N06LS3 G Product Summary OptiMOSTM3 Power-Transistor Features VDS 60 V Ideal for high frequency switching and sync. rec. RDS(on),max 6.7 mW Optimized technology for DC/DC converters ID 50 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance RDS(on) Superior thermal resistance N-channel, logic level 100% avalanche tes

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