BSC072N03LDG Todos los transistores

 

BSC072N03LDG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC072N03LDG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 920 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8
 

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BSC072N03LDG Datasheet (PDF)

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BSC072N03LDG

% ! D #:A0

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BSC072N03LDG

BSC072N03LD GOptiMOS3 Power-TransistorsProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Dual N-channel, logic levelR 7.2mDS(on),maxI 20 A Fast switching MOSFETs for SMPS DPG-TDSON-8 Optimized technology for DC/DC converters Qualified according to JEDEC1) for target applications Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on

 6.1. Size:1132K  infineon
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BSC072N03LDG

BSC072N04LDMOSFETPG-TDSON-8-4OptiMOSTM-T2 Power Transistor, 40 V8 17Features 26354 Dual N-channel, logic level Fast switching MOSFETs for SMPS Optimized technology for Synchronous Rectification Pb-free plating; RoHS compliant182 7 100% Avalanche tested3 654 Halogen-free according to IEC61249-2-21 Superior thermal resistanceProduct Va

 6.2. Size:1168K  infineon
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BSC072N03LDG

MOSFETMetal Oxide Semiconductor Field Effect TransistorOptiMOSTMOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC072N08NS5Data SheetRev. 2.0FinalPower Management & MultimarketOptiMOSTM5 Power-Transistor, 80 VBSC072N08NS5SuperSO81 Description5867Features7685 Optimized for high performance SMPS, e.g. sync. rec. 100% avalanche tested Superior thermal re

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History: NCE85H21C | HTD2K4P15T | NTJS4405NT1 | SHD225628

 

 
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