BSC072N03LDG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSC072N03LDG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 920 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0072 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSC072N03LDG

BSC072N03LDG Datasheet (PDF)

3.1. Size:591K infineon
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3.2. Size:317K infineon
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BSC072N03LD GOptiMOS3 Power-TransistorsProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Dual N-channel, logic levelR 7.2mDS(on),maxI 20 A Fast switching MOSFETs for SMPS DPG-TDSON-8 Optimized technology for DC/DC converters Qualified according to JEDEC1) for target applications Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Very low on-resistance RDS(on

6.1. Size:1132K infineon
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6.2. Size:1168K infineon
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Liste

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