BSC152N10NSFG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSC152N10NSFG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 470 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0152 Ohm
Encapsulados: TDSON8
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BSC152N10NSFG datasheet
bsc155n06nd.pdf
BSC155N06ND MOSFET PG-TDSON-8-4 OptiMOSTM-T2 Power Transistor, 60 V 8 1 7 Features 2 6 3 5 4 Dual N-channel,Normal Level Fast switching MOSFETs 175 C operating temperature Green product (RoHS compliant) 1 8 2 7 100% Avalanche tested 3 6 5 4 Optimized technology for drives applications Halogen-free according to IEC61249-2-21 Superior thermal resis
bsc150n03ld.pdf
BSC150N03LD G OptiMOS 3 Power-Transistors Product Summary Features V 30 V DS Dual N-channel, logic level R 15 m DS(on),max Fast switching MOSFETs for SMPS I 20 A D PG-TDSON-8 Optimized technology for DC/DC converters Qualified according to JEDEC1) for target applications Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Very low on-resistance R DS(on
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History: 2SK3079A | ASDM3050 | IRFU2307ZPBF | SVS20N60SD2TR | KF8N60F
History: 2SK3079A | ASDM3050 | IRFU2307ZPBF | SVS20N60SD2TR | KF8N60F
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