BSC190N15NS3G Todos los transistores

 

BSC190N15NS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC190N15NS3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 53 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 214 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.019 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSC190N15NS3G

 

BSC190N15NS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:567K  infineon
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BSC190N15NS3G
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 6.1. Size:656K  infineon
bsc190n12ns3 bsc190n12ns3g.pdf

BSC190N15NS3G
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 9.1. Size:659K  infineon
bsc196n10ns7 bsc196n10nsg.pdf

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% ! !% D #:A0

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