Справочник MOSFET. BSC190N15NS3G

 

BSC190N15NS3G MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BSC190N15NS3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 53 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 214 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.019 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8

 Аналог (замена) для BSC190N15NS3G

 

 

BSC190N15NS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:567K  infineon
bsc190n15ns3 bsc190n15ns3g.pdf

BSC190N15NS3G
BSC190N15NS3G

$ $ C "9@/; %;+877+;BFeatures 150 VDSQ ' 381>>5?B=1

 6.1. Size:656K  infineon
bsc190n12ns3 bsc190n12ns3g.pdf

BSC190N15NS3G
BSC190N15NS3G

% ! !% TM #:A0

 9.1. Size:659K  infineon
bsc196n10ns7 bsc196n10nsg.pdf

BSC190N15NS3G
BSC190N15NS3G

% ! !% D #:A0

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top