BSC196N10NSG Todos los transistores

 

BSC196N10NSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC196N10NSG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0196 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8
 

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BSC196N10NSG Datasheet (PDF)

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BSC196N10NSG

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 bsc190n15ns3 bsc190n15ns3g.pdf pdf_icon

BSC196N10NSG

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 bsc190n12ns3 bsc190n12ns3g.pdf pdf_icon

BSC196N10NSG

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History: SI2310A | STF2NK60Z | STF12NM60N | WNMD2162 | WMM06N80M3 | WSD30L90DN56

 

 
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