BSC196N10NSG Todos los transistores

 

BSC196N10NSG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC196N10NSG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0196 Ohm

Encapsulados: TDSON8

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BSC196N10NSG datasheet

 ..1. Size:659K  infineon
 bsc196n10ns7 bsc196n10nsg.pdf pdf_icon

BSC196N10NSG

% ! !% D # A0

 9.1. Size:567K  infineon
 bsc190n15ns3 bsc190n15ns3g.pdf pdf_icon

BSC196N10NSG

$ $ C "9@/; %;+877+;B Features 150 V DS Q ' 381>>5?B=1

 9.2. Size:656K  infineon
 bsc190n12ns3 bsc190n12ns3g.pdf pdf_icon

BSC196N10NSG

% ! !% TM # A0

Otros transistores... BSC130P03LSG , BSC150N03LDG , BSC152N10NSFG , BSC159N10LSFG , BSC160N10NS3G , BSC16DN25NS3G , BSC190N12NS3G , BSC190N15NS3G , 2SK3878 , BSC200P03LSG , BSC205N10LSG , BSC22DN20NS3G , BSC240N12NS3G , BSC252N10NSFG , BSC265N10LSFG , BSC320N20NS3G , BSC340N08NS3G .

History: SE6050B | AP2305

 

 

 

 

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