BSC205N10LSG Todos los transistores

 

BSC205N10LSG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC205N10LSG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0205 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8
 

 Búsqueda de reemplazo de BSC205N10LSG MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BSC205N10LSG PDF Specs

 3.1. Size:658K  infineon
 bsc205n10ls8.pdf pdf_icon

BSC205N10LSG

& " & $;B1= '=- >5>?;= $=;0@/? &@99-=D Features 1 D R ( 492??6= =@8 4 =6G6= m D n) m x R I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ) ' D n) 4 D R /6CJ =@H @? C6D DE2?46 D n) G D ON R U @A6C2E ?8 E6>A6C2EFC6 R *3 7C66 =625 A=2E ?8 , @"- 4@>A= 2?E 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA= 42E @? R #562= 7@C 9 89 7C6BF6?4J DH E49 ?8 2?5 DJ?49C@?@FD C64E 7 42E @? ... See More ⇒

 9.1. Size:494K  infineon
 bsc200p03lsg .pdf pdf_icon

BSC205N10LSG

BSC200P03LS G OptiMOS -P Power-Transistor Product Summary Features VDS -30 V P-Channel RDS(on),max 20 mW Enhancement mode ID -12.5 A Logic level 150 C operating temperature Avalanche rated PG-TDSON-8 Vgs=25V, specially suited for notebook applications Halogen-free according to IEC61249-2-21 Pb-free Lead plating RoHS compliant Type Package Mark... See More ⇒

Otros transistores... BSC152N10NSFG , BSC159N10LSFG , BSC160N10NS3G , BSC16DN25NS3G , BSC190N12NS3G , BSC190N15NS3G , BSC196N10NSG , BSC200P03LSG , 2N7002 , BSC22DN20NS3G , BSC240N12NS3G , BSC252N10NSFG , BSC265N10LSFG , BSC320N20NS3G , BSC340N08NS3G , BSC360N15NS3G , BSC440N10NS3G .

 

 
Back to Top

 


 
.