BSC205N10LSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: BSC205N10LSG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 24 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0205 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSC205N10LSG

BSC205N10LSG Datasheet (PDF)

3.1. Size:658K infineon
bsc205n10ls8.pdf

& " & $;B1= '=-:>5>?;=$=;0@/? &@99-=DFeatures 1 D R ( 492??6= =@8:4 =6G6= m D n) m xR I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ) ' D n) 4 DR /6CJ =@H @? C6D:DE2?46 D n) G D ON R U @A6C2E:?8 E6>A6C2EFC6R *3 7C66 =625 A=2E:?8 , @"- 4@>A=:2?E1)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?R #562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8 2?5 DJ?49C@?@FD C64E:7:42E:@?

9.1. Size:494K infineon
bsc200p03lsg .pdf

BSC200P03LS GOptiMOS-P Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS -30 V P-ChannelRDS(on),max 20mW Enhancement modeID -12.5 A Logic level 150C operating temperature Avalanche ratedPG-TDSON-8 Vgs=25V, specially suited for notebook applications Halogen-free according to IEC61249-2-21 Pb-free Lead plating: RoHS compliantType Package Mark

Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: ITP09N50A

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: