BSC22DN20NS3G Todos los transistores

 

BSC22DN20NS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC22DN20NS3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.225 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8

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BSC22DN20NS3G Datasheet (PDF)

 2.1. Size:313K  infineon
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BSC22DN20NS3G
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TypeBSC22DN20NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 200 V Optimized for dc-dc conversionRDS(on),max 225m N-channel, normal levelID 7 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for

 9.1. Size:811K  infineon
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BSC22DN20NS3G
BSC22DN20NS3G

BSC220N20NSFDMOSFETTSON-8-3OptiMOSTM3 Power-Transistor, 200 V8756 6Features 758 N-channel, normal levelPin 1 175 C rated2433 Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)4 21 Very low on-resistance RDS(on) Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Ideal for high-frequency switching and

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
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