BSC22DN20NS3G Todos los transistores

 

BSC22DN20NS3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC22DN20NS3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 24 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.225 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8
 

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BSC22DN20NS3G PDF Specs

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BSC22DN20NS3G

Type BSC22DN20NS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 200 V Optimized for dc-dc conversion RDS(on),max 225 m N-channel, normal level ID 7 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Low on-resistance R DS(on) PG-TDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for... See More ⇒

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BSC22DN20NS3G

BSC220N20NSFD MOSFET TSON-8-3 OptiMOSTM3 Power-Transistor, 200 V 8 7 5 6 6 Features 7 5 8 N-channel, normal level Pin 1 175 C rated 2 4 3 3 Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) 4 2 1 Very low on-resistance R DS(on) Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Ideal for high-frequency switching and ... See More ⇒

Otros transistores... BSC159N10LSFG , BSC160N10NS3G , BSC16DN25NS3G , BSC190N12NS3G , BSC190N15NS3G , BSC196N10NSG , BSC200P03LSG , BSC205N10LSG , IRF9540N , BSC240N12NS3G , BSC252N10NSFG , BSC265N10LSFG , BSC320N20NS3G , BSC340N08NS3G , BSC360N15NS3G , BSC440N10NS3G , BSC520N15NS3G .

 

 
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