BSC22DN20NS3G - описание и поиск аналогов

 

BSC22DN20NS3G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSC22DN20NS3G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.225 Ohm

Тип корпуса: TDSON8

Аналог (замена) для BSC22DN20NS3G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC22DN20NS3G даташит

 2.1. Size:313K  infineon
 bsc22dn20ns3.pdf pdf_icon

BSC22DN20NS3G

Type BSC22DN20NS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 200 V Optimized for dc-dc conversion RDS(on),max 225 m N-channel, normal level ID 7 A Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) Low on-resistance R DS(on) PG-TDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for

 9.1. Size:811K  infineon
 bsc220n20nsfd.pdf pdf_icon

BSC22DN20NS3G

BSC220N20NSFD MOSFET TSON-8-3 OptiMOSTM3 Power-Transistor, 200 V 8 7 5 6 6 Features 7 5 8 N-channel, normal level Pin 1 175 C rated 2 4 3 3 Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) 4 2 1 Very low on-resistance R DS(on) Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Ideal for high-frequency switching and

Другие MOSFET... BSC159N10LSFG , BSC160N10NS3G , BSC16DN25NS3G , BSC190N12NS3G , BSC190N15NS3G , BSC196N10NSG , BSC200P03LSG , BSC205N10LSG , IRF9540N , BSC240N12NS3G , BSC252N10NSFG , BSC265N10LSFG , BSC320N20NS3G , BSC340N08NS3G , BSC360N15NS3G , BSC440N10NS3G , BSC520N15NS3G .

History: SK2300A

 

 

 

 

↑ Back to Top
.