BSC22DN20NS3G - аналоги и даташиты транзистора

 

BSC22DN20NS3G - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BSC22DN20NS3G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 24 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.225 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8
 

 Аналог (замена) для BSC22DN20NS3G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC22DN20NS3G Datasheet (PDF)

 2.1. Size:313K  infineon
 bsc22dn20ns3.pdf pdf_icon

BSC22DN20NS3G

TypeBSC22DN20NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 200 V Optimized for dc-dc conversionRDS(on),max 225m N-channel, normal levelID 7 A Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on) Low on-resistance RDS(on)PG-TDSON-8 150 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for

 9.1. Size:811K  infineon
 bsc220n20nsfd.pdf pdf_icon

BSC22DN20NS3G

BSC220N20NSFDMOSFETTSON-8-3OptiMOSTM3 Power-Transistor, 200 V8756 6Features 758 N-channel, normal levelPin 1 175 C rated2433 Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)4 21 Very low on-resistance RDS(on) Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 Ideal for high-frequency switching and

Другие MOSFET... BSC159N10LSFG , BSC160N10NS3G , BSC16DN25NS3G , BSC190N12NS3G , BSC190N15NS3G , BSC196N10NSG , BSC200P03LSG , BSC205N10LSG , K4145 , BSC240N12NS3G , BSC252N10NSFG , BSC265N10LSFG , BSC320N20NS3G , BSC340N08NS3G , BSC360N15NS3G , BSC440N10NS3G , BSC520N15NS3G .

History: IRF7341I | AONP38324 | WMJ36N60C4 | JMSH0606PGDQ | AOSX32128 | BSB053N03LPG | AO3401MI-MS

 

 
Back to Top

 


 
.