BSC440N10NS3G Todos los transistores

 

BSC440N10NS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC440N10NS3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8

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BSC440N10NS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:580K  infineon
 bsc440n10ns3 bsc440n10ns3g.pdf pdf_icon

BSC440N10NS3G

BSC440N10NS3 G TM 3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V %07 *-5 '!2% # (!0'% &-0 ()'( &0%/3%,# 7 !..*)# !2)-,1 RDS(on),max 44 m .2)+ )8%$ &-0 $# $# # -,4%01)-, ID 18 A # (!,,%* ,-0+ !* *%4%* PG-TDSON-8 6# %**%,2 '!2% # (!0'% 6 R product (FOM) DS(on) %07 *-5 -, 0%1)12!,# % R DS(on) 9 -.%0!2),' 2%+ .%0!230% " &0%% *%!$ .*!2),' - # -+ .*)!,2 1)

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