BSC440N10NS3G Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSC440N10NS3G 📄📄
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.044 Ohm
Encapsulados: TDSON8
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BSC440N10NS3G datasheet
bsc440n10ns3 bsc440n10ns3g.pdf
BSC440N10NS3 G TM 3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V %07 *-5 '!2% # (!0'% &-0 ()'( &0%/3%,# 7 !..*)# !2)-,1 RDS(on),max 44 m .2)+ )8%$ &-0 $# $# # -,4%01)-, ID 18 A # (!,,%* ,-0+ !* *%4%* PG-TDSON-8 6# %**%,2 '!2% # (!0'% 6 R product (FOM) DS(on) %07 *-5 -, 0%1)12!,# % R DS(on) 9 -.%0!2),' 2%+ .%0!230% " &0%% *%!$ .*!2),' - # -+ .*)!,2 1)
Otros transistores... BSC205N10LSG, BSC22DN20NS3G, BSC240N12NS3G, BSC252N10NSFG, BSC265N10LSFG, BSC320N20NS3G, BSC340N08NS3G, BSC360N15NS3G, IRFP260, BSC520N15NS3G, BSC600N25NS3G, BSC750N10NDG, BSC900N20NS3G, BSD223P, BSD314SPE, BSF024N03LT3G, BSF050N03LQ3G
Parámetros del MOSFET. Cómo se afectan entre sí.
History: CES2316 | APG054N10D
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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