BSC600N25NS3G Todos los transistores

 

BSC600N25NS3G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC600N25NS3G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: TDSON8

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BSC600N25NS3G datasheet

 ..1. Size:484K  infineon
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BSC600N25NS3G

BSC600N25NS3 G OptiMOSTM3 Power-Transistor Product Summary Features VDS 250 V N-channel, normal level RDS(on),max 60 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 25 A Very low on-resistance R DS(on) Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Halogen-free according to IEC61249-2-21 Ideal for high-

Otros transistores... BSC240N12NS3G , BSC252N10NSFG , BSC265N10LSFG , BSC320N20NS3G , BSC340N08NS3G , BSC360N15NS3G , BSC440N10NS3G , BSC520N15NS3G , K4145 , BSC750N10NDG , BSC900N20NS3G , BSD223P , BSD314SPE , BSF024N03LT3G , BSF050N03LQ3G , BSF053N03LTG , BSF083N03LQG .

History: JMTG040N03A | BSC360N15NS3G | HAT2016RJ | NTD4969N-1G

 

 

 

 

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