BSC600N25NS3G Todos los transistores

 

BSC600N25NS3G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSC600N25NS3G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: TDSON8
 

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BSC600N25NS3G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:484K  infineon
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BSC600N25NS3G

BSC600N25NS3 GOptiMOSTM3 Power-TransistorProduct SummaryFeaturesVDS 250 V N-channel, normal levelRDS(on),max 60mW Excellent gate charge x R product (FOM)DS(on)ID 25 A Very low on-resistance RDS(on) Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1) for target application Halogen-free according to IEC61249-2-21 Ideal for high-

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History: SI4401DDY-T1-GE3 | SL4N150T | IRF6810S | IPB05CN10NG | IRLU3103PBF | DMC3021LSDQ | TK62J60W

 

 
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