BSC750N10NDG Todos los transistores

 

BSC750N10NDG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSC750N10NDG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm

Encapsulados: TDSON8

 Búsqueda de reemplazo de BSC750N10NDG MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

BSC750N10NDG datasheet

 3.1. Size:599K  infineon
 bsc750n10nd.pdf pdf_icon

BSC750N10NDG

$ C "9@/; %;+877+;B Features 100 V DS R F2= ( 492??6= ?@C>2= =6G6= 75 m DS(on) max R I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ) ' DS(on) 1 A D R &@H @? C6D DE2?46 DS(on) R *3 7C66 =625 A=2E ?8 , @"- 4@>A= 2?E PG TDSON 8 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA= 42E @? R #562= 7@C 9 89 7C6BF6?4J DH E49 ?8 2?5 DJ?49C@?@FD C64E 7 42E @? R 2G2=2?496 E6D

Otros transistores... BSC252N10NSFG , BSC265N10LSFG , BSC320N20NS3G , BSC340N08NS3G , BSC360N15NS3G , BSC440N10NS3G , BSC520N15NS3G , BSC600N25NS3G , 13N50 , BSC900N20NS3G , BSD223P , BSD314SPE , BSF024N03LT3G , BSF050N03LQ3G , BSF053N03LTG , BSF083N03LQG , BSL207SP .

History: JMTG040N03A | BSC360N15NS3G | NTD4969N-1G | HAT2016RJ

 

 

 

 

↑ Back to Top
.