Справочник MOSFET. BSC750N10NDG

 

BSC750N10NDG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSC750N10NDG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TDSON8
 

 Аналог (замена) для BSC750N10NDG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC750N10NDG Datasheet (PDF)

 3.1. Size:599K  infineon
 bsc750n10nd.pdf pdf_icon

BSC750N10NDG

$ C "9@/; %;+877+;BFeatures 100 VDSR F2= ( 492??6= ?@C>2= =6G6= 75m DS(on) maxR I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ) ' DS(on) 1 ADR &@H @? C6D:DE2?46 DS(on)R *3 7C66 =625 A=2E:?8 , @"- 4@>A=:2?EPGTDSON81)R + F2=:7:65 244@C5:?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA=:42E:@?R #562= 7@C 9:89 7C6BF6?4J DH:E49:?8 2?5 DJ?49C@?@FD C64E:7:42E:@?R 2G2=2?496 E6D

Другие MOSFET... BSC252N10NSFG , BSC265N10LSFG , BSC320N20NS3G , BSC340N08NS3G , BSC360N15NS3G , BSC440N10NS3G , BSC520N15NS3G , BSC600N25NS3G , TK10A60D , BSC900N20NS3G , BSD223P , BSD314SPE , BSF024N03LT3G , BSF050N03LQ3G , BSF053N03LTG , BSF083N03LQG , BSL207SP .

 

 
Back to Top

 


 
.