BSC750N10NDG - описание и поиск аналогов

 

BSC750N10NDG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSC750N10NDG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 76 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TDSON8

Аналог (замена) для BSC750N10NDG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSC750N10NDG даташит

 3.1. Size:599K  infineon
 bsc750n10nd.pdf pdf_icon

BSC750N10NDG

$ C "9@/; %;+877+;B Features 100 V DS R F2= ( 492??6= ?@C>2= =6G6= 75 m DS(on) max R I46==6?E 82E6 492C86 I AC@5F4E ) ' DS(on) 1 A D R &@H @? C6D DE2?46 DS(on) R *3 7C66 =625 A=2E ?8 , @"- 4@>A= 2?E PG TDSON 8 1) R + F2= 7 65 244@C5 ?8 E@ $ 7@C E2C86E 2AA= 42E @? R #562= 7@C 9 89 7C6BF6?4J DH E49 ?8 2?5 DJ?49C@?@FD C64E 7 42E @? R 2G2=2?496 E6D

Другие MOSFET... BSC252N10NSFG , BSC265N10LSFG , BSC320N20NS3G , BSC340N08NS3G , BSC360N15NS3G , BSC440N10NS3G , BSC520N15NS3G , BSC600N25NS3G , 13N50 , BSC900N20NS3G , BSD223P , BSD314SPE , BSF024N03LT3G , BSF050N03LQ3G , BSF053N03LTG , BSF083N03LQG , BSL207SP .

History: KTK5133S | KTK5162S

 

 

 

 

↑ Back to Top
.