BSD314SPE Todos los transistores

 

BSD314SPE MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSD314SPE

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 126 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm

Encapsulados: SOT363

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BSD314SPE datasheet

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BSD314SPE

BSD314SPE OptiMOS -P 3 Small-Signal-Transistor Product Summary Features V 30 V DS P-channel R V =-10 V 140 m DS(on),max GS Enhancement mode V =-4.5 V 230 GS Logic level (4.5V rated) I -1.5 A D ESD protected PG-SOT-363 Qualified according AEC Q101 6 5 4 100% Lead-free; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21 1 2 3 Type Pac

 9.1. Size:183K  infineon
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BSD314SPE

BSD316SN OptiMOS 2 Small-Signal-Transistor Product Summary Features V 30 V DS N-channel R V =10 V 160 m DS(on),max GS Enhancement mode V =4.5 V 280 GS Logic level (4.5V rated) I 1.4 A D Avalanche rated Qualified according to AEC Q101 PG-SOT363 100% lead-free; RoHS compliant 6 5 4 Halogen-free according to IEC61249-2-21 1 2 3 Type Package

Otros transistores... BSC340N08NS3G , BSC360N15NS3G , BSC440N10NS3G , BSC520N15NS3G , BSC600N25NS3G , BSC750N10NDG , BSC900N20NS3G , BSD223P , 5N65 , BSF024N03LT3G , BSF050N03LQ3G , BSF053N03LTG , BSF083N03LQG , BSL207SP , BSL211SP , BSL215P , BSL307SP .

History: AOB264L | CPMF-1200-S080B | BSZ0902NS

 

 

 

 

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