BSL207SP Todos los transistores

 

BSL207SP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSL207SP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 12 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 17 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 410 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.041 Ohm
   Paquete / Cubierta: TSOP6
 

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BSL207SP Datasheet (PDF)

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BSL207SP

Rev. 2.05BSL207SPOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V P-ChannelRDS(on) 41 m Enhancement modeID -6 A Super Logic Level (2.5 V rated)P-TSOP6-6 150C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated435 Pb-free lead plating; RoHS compliant 261 QualifiedaccordingtoAECQ101 P-TS

 8.1. Size:415K  infineon
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BSL207SP

BSL207NOptiMOS ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeatures 20 VDST H5@ ) 7

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BSL207SP

BSL205NOptiMOS ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeatures 20 VDST H5@ ) 7

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BSL207SP

BSL202SNOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 20 VDS N-channelR V =4.5 V 22mDS(on),max GS Enhancement modeV =2.5 V 36GS Super Logic level (2.5V rated)I 7.5 AD Avalanche rated dv /dt ratedTSOP-6 Pb-free lead plating; RoHS compliant65 Qualified according to AEC Q1014123Type Package Tape and Reel Inf

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History: 4N65L-T2Q-T | WMM08N60C4 | WPM2341 | CJCD2007 | RU5H5P | SI3403

 

 
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