Справочник MOSFET. BSL207SP

 

BSL207SP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BSL207SP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 17 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.041 Ohm
   Тип корпуса: TSOP6
 

 Аналог (замена) для BSL207SP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSL207SP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:360K  infineon
 bsl207sp.pdf pdf_icon

BSL207SP

Rev. 2.05BSL207SPOptiMOS-P Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeatureVDS -20 V P-ChannelRDS(on) 41 m Enhancement modeID -6 A Super Logic Level (2.5 V rated)P-TSOP6-6 150C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated435 Pb-free lead plating; RoHS compliant 261 QualifiedaccordingtoAECQ101 P-TS

 8.1. Size:415K  infineon
 bsl207n.pdf pdf_icon

BSL207SP

BSL207NOptiMOS ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeatures 20 VDST H5@ ) 7

 9.1. Size:427K  infineon
 bsl205n.pdf pdf_icon

BSL207SP

BSL205NOptiMOS ':.99 '64;.9 (>.;?6?@%>EFeatures 20 VDST H5@ ) 7

 9.2. Size:218K  infineon
 bsl202sn.pdf pdf_icon

BSL207SP

BSL202SNOptiMOS2 Small-Signal-TransistorProduct SummaryFeaturesV 20 VDS N-channelR V =4.5 V 22mDS(on),max GS Enhancement modeV =2.5 V 36GS Super Logic level (2.5V rated)I 7.5 AD Avalanche rated dv /dt ratedTSOP-6 Pb-free lead plating; RoHS compliant65 Qualified according to AEC Q1014123Type Package Tape and Reel Inf

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... BSC750N10NDG , BSC900N20NS3G , BSD223P , BSD314SPE , BSF024N03LT3G , BSF050N03LQ3G , BSF053N03LTG , BSF083N03LQG , IRLB4132 , BSL211SP , BSL215P , BSL307SP , BSL308PE , BSL314PE , BSL315P , BSO604NS2 , BSO033N03MSG .

 

 
Back to Top

 


 
.