BSL215P Todos los transistores

 

BSL215P MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSL215P

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.7 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: TSOP6

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BSL215P datasheet

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BSL215P

BSL215P #

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BSL215P

BSL215C OptiMOS 2 + OptiMOS -P 2 Small Signal Transistor Product Summary Features P N Complementary P + N channel VDS -20 20 V Enhancement mode RDS(on),max VGS= 4.5 V 150 140 mW Super Logic level (2.5V rated) VGS= 2.5 V 280 250 Avalanche rated ID -1.5 1.5 A Qualified according to AEC Q101 100% lead-free; RoHS compliant PG-TSOP6 Halogen free a

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BSL215P

BSL214N OptiMOS ' .99 '64;.9 (>.;?6?@ %>E Features 20 V DS T H5@ ) 7

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BSL215P

Rev 2.0 BSL211SP OptiMOS -P Small-Signal-Transistor Product Summary Feature VDS -20 V P-Channel RDS(on) 67 m Enhancement mode ID -4.7 A Super Logic Level (2.5 V rated) P-TSOP6-6 150 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated 4 3 5 2 Pb-free lead plating; RoHS compliant 6 1 Qualified according to AEC Q101

Otros transistores... BSD223P , BSD314SPE , BSF024N03LT3G , BSF050N03LQ3G , BSF053N03LTG , BSF083N03LQG , BSL207SP , BSL211SP , AON7506 , BSL307SP , BSL308PE , BSL314PE , BSL315P , BSO604NS2 , BSO033N03MSG , BSO040N03MSG , BSO051N03MSG .

 

 

 

 

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