BSL307SP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSL307SP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 234 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.043 Ohm
Paquete / Cubierta: TSOP6
Búsqueda de reemplazo de BSL307SP MOSFET
BSL307SP datasheet
bsl307sp.pdf
Rev 1.2 BSL307SP OptiMOS -P Small-Signal-Transistor Product Summary Feature VDS -30 V P-Channel RDS(on) 43 m Enhancement mode ID -5.5 A Logic Level PG-TSOP-6-1 150 C operating temperature Avalanche rated dv/dt rated 4 3 5 2 6 1 Drain pin 1,2, 5,6 Gate pin 3 Type Package Tape and reel Marking Source BSL307SP PG-TSOP-6-1 L63
bsl307sp.pdf
BSL307SP www.VBsemi.tw P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available 0.049 at VGS = - 10 V - 4.8 TrenchFET Power MOSFET - 30 5.1 nC 0.054 at VGS = - 4.5 V - 4.1 APPLICATIONS Load Switch TSOP-6 (4) S Top V iew 1 6 (3) G 3 mm 5 2 3 4 (1, 2, 5, 6) D 2.85 mm P-Ch
bsl308pe.pdf
BSL308PE OptiMOS P3 Small-Signal-Transistor Product Summary Features VDS -30 V Dual P-channel RDS(on),max VGS=-10 V 80 mW Enhancement mode VGS=-4.5 V 130 Logic level (4.5V rated) ID -2.0 A ESD protected PG-TSOP-6 Qualified according to AEC Q101 6 5 4 100% Lead-free; RoHS compliant Halogen free according to IEC61249-2-21 1 2 3 Ty
bsl306n.pdf
BSL306N $=@6"$'F ' .99 '64;.9 (>.;?6?@ %>E Features 0 V DS T H5@ ) 7
Otros transistores... BSD314SPE , BSF024N03LT3G , BSF050N03LQ3G , BSF053N03LTG , BSF083N03LQG , BSL207SP , BSL211SP , BSL215P , STP80NF70 , BSL308PE , BSL314PE , BSL315P , BSO604NS2 , BSO033N03MSG , BSO040N03MSG , BSO051N03MSG , BSO052N03S .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: APP540 | APP50N06 | APG250N01Q | APG095N01K | APG095N01 | APG082N01 | APG080N12 | APG078N07K | APG078N07 | APG070N12G | APG045N85 | APG042N01D | APG038N01G | APG035N04Q | APG032N04G | APG028N10
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