BSO033N03MSG Todos los transistores

 

BSO033N03MSG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BSO033N03MSG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 17 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1900 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0033 Ohm

Encapsulados: SO8

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BSO033N03MSG datasheet

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BSO033N03MSG

BSO033N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) R V =10 V 3.3 m DS(on),max GS Low FOMSW for High Frequency SMPS V =4.5 V 3.8 GS 100% Avalanche tested I 22 A D N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM) PG-

 3.1. Size:662K  infineon
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BSO033N03MSG

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Otros transistores... BSL207SP , BSL211SP , BSL215P , BSL307SP , BSL308PE , BSL314PE , BSL315P , BSO604NS2 , 4N60 , BSO040N03MSG , BSO051N03MSG , BSO052N03S , BSO064N03S , BSO065N03MSG , BSO072N03S , BSO080P03NS3G , BSO080P03NS3EG .

 

 

 

 

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