BSO083N03MSG Todos los transistores

 

BSO083N03MSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BSO083N03MSG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 510 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0083 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO8
 

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BSO083N03MSG Datasheet (PDF)

 3.1. Size:672K  infineon
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BSO083N03MSG

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 9.1. Size:323K  infineon
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BSO083N03MSG

BSO080P03S HOptiMOS-P Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -30 VDS P-ChannelR 8mDS(on),max Enhancement modeI -14.9 AD Logic level 150C operating temperaturePG-DSO-8 Qualified according JEDEC for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Type Package Marking lead free Halo

 9.2. Size:673K  infineon
bso080p03ns3e g.pdf pdf_icon

BSO083N03MSG

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BSO083N03MSG

BSO080P03S HOptiMOS-P Power-TransistorProduct SummaryFeaturesV -30 VDS P-ChannelR 8m DS(on),max Enhancement modeI -14.9 AD Logic level 150C operating temperaturePG-DSO-8 Qualified according JEDEC for target applications Pb-free lead plating; RoHS compliant Halogen-free according to IEC61249-2-21Type Package Marking lead free Haloge

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History: 2N80G-TA3-T | SSM6J207FE | MPSP60M160 | 2SK1723 | 1N60L-TMS2-T | LSB55R140GT | IXTT50N30

 

 
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