BSO110N03MSG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BSO110N03MSG
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.56 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 390 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: SO8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET BSO110N03MSG
BSO110N03MSG Datasheet (PDF)
bso110n03msg.pdf
BSO110N03MS GOptiMOS3 M-Series Power-MOSFETProduct SummaryFeaturesV 30 VDS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL)R V =10 V 11mDS(on),max GS Low FOMSW for High Frequency SMPSV =4.5 V 13.9GS 100% Avalanche testedI 12.1 AD N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 VDS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM)P
bso110n03ms.pdf
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bso119n03s rev1.7 g.pdf
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Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
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