BSO110N03MSG - описание и поиск аналогов

 

BSO110N03MSG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BSO110N03MSG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 390 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.011 Ohm

Тип корпуса: SO8

Аналог (замена) для BSO110N03MSG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BSO110N03MSG даташит

 ..1. Size:553K  infineon
bso110n03msg.pdfpdf_icon

BSO110N03MSG

BSO110N03MS G OptiMOS 3 M-Series Power-MOSFET Product Summary Features V 30 V DS Optimized for 5V driver application (Notebook, VGA, POL) R V =10 V 11 m DS(on),max GS Low FOMSW for High Frequency SMPS V =4.5 V 13.9 GS 100% Avalanche tested I 12.1 A D N-channel Very low on-resistance R @ V =4.5 V DS(on) GS Excellent gate charge x R product (FOM) P

 3.1. Size:671K  infineon
bso110n03ms.pdfpdf_icon

BSO110N03MSG

%" ! % %0 S 07DK >AI A@ D7E;EF3@57 0 D n) G S J57>>7@F 93F7 5 3D97 J BDA6G5F !* ( G D O D n) S , G3>;8;76 8AD 5A@EG?7D >7H7> 3BB>;53F;A@ S +4 8D77 B>3F;@9 - A#

 9.1. Size:652K  infineon
bso119n03s rev1.7 g.pdfpdf_icon

BSO110N03MSG

BSO119N03S "9@/; %;+877+;B Features V DS Q 2CD CG D49 ?8 ') - . 7@B -'*- m DS(on) max Q ) AD > J65 D649?@=@8I 7@B ?@D63@@2= B6C CD2?46 Q F2=2?496 B2D

Другие MOSFET... BSO064N03S , BSO065N03MSG , BSO072N03S , BSO080P03NS3G , BSO080P03NS3EG , BSO080P03SH , BSO083N03MSG , BSO094N03S , IRF2807 , BSO119N03S , BSO130N03MSG , BSO130P03S , BSO130P03SH , BSO150N03 , BSO150N03MDG , BSO200N03 , BSO200N03S .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.